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第41卷第12期
               ·1858 ·                           南 京    医 科 大 学 学         报                        2021年12月


              长因子和细胞因子，深刻影响着种植体周围新生血                            变。此外，配合水冷，可以明显减少高脉冲频率的
              管模式，促进创伤愈合及骨结合               ［20-22］ 。但是粗糙度       Er：YAG激光对种植体表面微貌的改变。
              增加亦会促进菌斑附着，增大清除种植体表面菌斑                            2.2  Er：YAG激光对种植体表面亲水性的影响
              的难度。Albrektsson和Wennerberg将表面粗糙度分                      种植体表面的亲水性利于血小板的黏附与活
              为4种：光滑表面，粗糙度值<0.5 μm；最低限度粗糙                       化 ［30］ ，血小板活化后选择性分泌的各种趋化因子、
              表面，粗糙度值 0.5~1.0 μm；中等粗糙表面，粗糙度                     生长因子，会影响早期炎症反应和骨再生并最终影
              值 1.0~2.0 μm；粗糙表面，粗糙度值>2.0 μm。他们                  响与骨结合有关的骨愈合过程              ［31-32］ 。种植体的亲水
                                                        ［23］
              建议种植体理想粗糙度范围在1.0~1.5 μm之间 。                       性用接触角的大小来度量，接触角越小亲水性越
                  钛种植体表面微貌受Er：YAG激光热效应的影                        好。Nader 等   ［33］ 在体外研究了激光对未被细菌污染
              响。以往一系列研究探究了低脉冲频率 10 Hz 的                         的喷砂酸蚀种植体表面亲水性的影响，发现 Er：
              Er：YAG 激光对种植体表面微貌和粗糙度的影响。                         YAG激光在能量参数100 mJ/pulse、10 Hz，照射时间
              Er：YAG激光能量参数设置为60 mJ/pulse、10 Hz，照                60 s，伴水冷的情况下可以增加种植体表面亲水
              射时间 2 min 时阳极氧化种植体表面形貌较稳定；                        性。然而该实验针对的是未被细菌污染的种植体，
              设置为 140 mJ/pulse、10 Hz，照射时间 2 min 时喷砂             对于已被细菌污染的种植体，Er：YAG 激光照射是
              酸蚀种植体表面形貌较稳定；设置为 100 mJ/pulse、                    否可以恢复甚至改善亲水性还无法知晓，有待日后
              10 Hz，照射时间1 min时羟磷灰石涂层和氟化物改性                      进一步探索。
              TiO2喷砂种植体表面形貌较稳定              ［24-25］ 。Takagi 等 ［26］
                                                                3  Er：YAG激光对种植体表面生物相容性的影响
              研究了脉冲频率 20 Hz 的 Er：YAG 激光对种植体
              表面微貌的影响。Er：YAG 激光能量参数设置为                               种植体表面黏附的菌斑生物膜会降低种植体
              40 mJ/pulse、20 Hz，在伴水冷非接触式照射喷砂酸                   表面的生物相容性，众多研究者进行了一系列体外
              蚀表面的种植体时，可以在不改变种植体表面微结                            实验以评估 Er：YAG 激光对受菌斑污染的种植体
              构的基础上有效清除种植体表面的钙化沉积物。                             表面的清创效果。研究指出，在无螺纹的光滑钛
              Tanjguchi 等 ［27］ 研究了高脉冲频率 30 Hz 的 Er：YAG          片表面，Er：YAG 激光的菌斑清除效果优于塑料刮
              激光对钛种植体表面微貌的影响。Er：YAG激光能                          治器  ［34］ 。在无螺纹的喷砂酸蚀钛片表面，Er：YAG
              量参数设置为50 mJ/pulse、30 Hz，照射时间10 s时喷                激光的菌斑清除效果弱于各种传统的器械，如钛
              砂酸蚀种植体表面出现明显的熔融改变。由于钛                             刷、碳纤维刮治器        ［35］ 。然而在一项针对有螺纹的种
              的熔点为 1 668 ℃，这个现象意味着高脉冲频率激                        植体表面的研究中，研究者发现 Er：YAG 激光的清
              光被钛表面吸收，在照射点产生非常高的温度。但                            创效果优于传统的器械，如各种手工刮治器、钛刷
              在同样能量参数设置以及更长的照射时间下，伴有                            以及超声器械       ［14］ 。现有结果提示，在无螺纹的种植
              水冷的种植体表面无明显改变。Matys 等                 ［28］ 将 Er：  体表面，其清创效果并没有优于大部分的传统清创
              YAG 激光能量参数设置为 50 mJ/pulse、30 Hz，照射                方式。但是在具备螺纹的种植体表面，激光可能更
              时间 1 min，但是伴有水冷时，种植体表面未见明显                        容易进入螺纹之间的深部进行清创，因此相对于传
              熔融及裂纹。这两项研究强调应用高脉冲频率 30                           统器械有更大优势。因此，针对不同表面类型的种
              Hz 的 Er：YAG 激光治疗种植体周围炎时，水冷对于                      植体，可能需要选择不同的清创方式以获得最佳的
              减少激光对种植体表面熔融改变有重要作用。                              菌斑清除效果。
                  临床中患有种植体周围炎的种植体表面黏附                                众多Er：YAG激光对种植体表面生物相容性的
              有菌斑生物膜。为模拟体内的情况，研究者构建了                            研究一方面评估Er：YAG激光对种植体表面菌斑的
              伴放线聚集杆菌黏附于喷砂酸蚀表面种植体的体外                            清除效果，另一方面评估 Er：YAG 激光处理种植体
              模型，用以探究Er：YAG激光（100 mJ/pulse，10 Hz，照              后，细胞对种植体表面再次黏附、生长、分化的影
              射时间 1 min）清创对种植体表面的改变。结果显                         响。此方面的研究较为零散，由于种植体表面特征
              示，该能量参数设置下的 Er：YAG 激光并不会改变                        不一致，使用的激光参数不一致，使用的细胞种类
              种植体表面微貌 。                                         不一致，难以达成一致结论。针对喷砂酸蚀处理的
                            ［29］
                  总结现有的体外研究可以发现，低脉冲频率的                          种植体表面，实验表明在伴有水冷的情况下，使
              Er：YAG激光对种植体表面微貌及粗糙度无明显改                          用 160 mJ/pulse、20 Hz 或者 80 mJ/pulse、20 Hz 的
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